WNM7002-3/TR دیتاشیت

WNM7002-3/TR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت WNM7002-3/TR
حجم فایل 49.997 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت WNM7002-3/TR

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: WILLSEMI(Will Semicon) WNM7002-3/TR
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 830mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 260pC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 14.4pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 280mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 0.27pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.7mΩ@10V,300mA
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: WILLSEMI(Will Semicon)

محصولات مشابه